分子束外延原理概述

日期：2025-09-01 02:51

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摘要：

分子束外延原理概述
　　分子束外延（MBE）是新發(fā)展起來的外延制膜方法，也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種制備單晶薄膜的新技術(shù)，它是在適當(dāng)?shù)囊r底與合適的條件下，沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術(shù)的優(yōu)點是：使用的襯底溫度低，膜層生長速率慢，束流強(qiáng)度易于**控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。用這種技術(shù)已能制備薄到幾十個原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子顯微結(jié)構(gòu)材料。

原理

　　分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質(zhì)量的晶體薄膜的新技術(shù)。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產(chǎn)生的蒸氣，經(jīng)小孔準(zhǔn)直后形成的分子束或原子束，直接噴射到適當(dāng)溫度的單晶基片上，同時控制分子束對襯底掃描，就可使分子或原子按晶體排列一層層地“長”在基片上形成薄膜。

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